Αριθμός εξαρτήματος : | APTM120U10DAG |
---|---|
Κατασκευαστής / Μάρκα : | Microsemi |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 4483 pcs |
Φύλλα δεδομένων | 1.APTM120U10DAG.pdf2.APTM120U10DAG.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SP6 |
Σειρά | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 3290W (Tc) |
Συσκευασία | Bulk |
Συσκευασία / υπόθεση | SP6 |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Chassis Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 1200V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |