| Αριθμός εξαρτήματος : | DTB743EETL |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | LAPIS Semiconductor |
| Περιγραφή : | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 508561 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | DTB743EETL.pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 30V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| transistor Τύπος | PNP - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | EMT3 |
| Σειρά | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | 4.7 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1) | 4.7 kOhms |
| Ισχύς - Max | 150mW |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | SC-75, SOT-416 |
| Αλλα ονόματα | DTB743EETL-ND DTB743EETLTR |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση | 260MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 200mA |
| Αριθμός μέρους βάσης | DTB743 |
LAPIS Semiconductor
