| Αριθμός εξαρτήματος : | EMF5XV6T5G |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Περιγραφή : | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 242221 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | EMF5XV6T5G.pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50V, 12V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| transistor Τύπος | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-563 |
| Σειρά | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | 47 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1) | 47 kOhms |
| Ισχύς - Max | 500mW |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | SOT-563, SOT-666 |
| Αλλα ονόματα | EMF5XV6T5G-ND EMF5XV6T5GOSTR |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 14 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση | - |
| Λεπτομερής περιγραφή | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Αριθμός μέρους βάσης | EMF |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
