Αριθμός εξαρτήματος : | EPC2022ENGRT |
---|---|
Κατασκευαστής / Μάρκα : | EPC |
Περιγραφή : | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE |
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 5747 pcs |
Φύλλα δεδομένων | EPC2022ENGRT.pdf |
Τάσης - Test | 1400pF @ 50V |
Τάσης - Ανάλυση | Die |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
Τεχνολογία | GaNFET (Gallium Nitride) |
Σειρά | eGaN® |
Κατάσταση RoHS | Cut Tape (CT) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90A (Ta) |
Πόλωση | Die |
Άλλα ονόματα | 917-1140-1 917-1140-1-ND 917-EPC2022ENGRCT\ |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή | EPC2022ENGRT |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 13nC @ 5V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 2.5V @ 12mA |
FET Χαρακτηριστικό | N-Channel |
Διευρυμένη περιγραφή | N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | - |
Περιγραφή | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 100V |
Λόγος χωρητικότητα | - |