| Αριθμός εξαρτήματος : | FR16JR02 |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | GeneSiC Semiconductor |
| Περιγραφή : | DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 6578 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | 1.FR16JR02.pdf2.FR16JR02.pdf |
| Τάσης - Peak Reverse (Max) | Standard, Reverse Polarity |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 16A |
| Τάσης - Ανάλυση | DO-4 |
| Σειρά | - |
| Κατάσταση RoHS | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F | - |
| Πόλωση | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Άλλα ονόματα | FR16JR02GN |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | 250ns |
| τοποθέτηση Τύπος | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή | FR16JR02 |
| Διευρυμένη περιγραφή | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 16A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Διαμόρφωση δίοδος | 25µA @ 100V |
| Περιγραφή | DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 900mV @ 16A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode) | 600V |
| Χωρητικότητα @ VR, F | -65°C ~ 150°C |
