| Αριθμός εξαρτήματος : |
IRF7406GTRPBF |
| Κατασκευαστής / Μάρκα : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Περιγραφή : |
MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC |
| Κατάσταση RoHs : |
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα |
4849 pcs |
| Φύλλα δεδομένων |
IRF7406GTRPBF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Τεχνολογία |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή |
8-SO |
| Σειρά |
HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) |
2.5W (Ta) |
| Συσκευασία |
Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα |
IRF7406GTRPBFCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος |
Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds |
1100pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs |
59nC @ 10V |
| FET Τύπος |
P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό |
- |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) |
30V |
| Λεπτομερής περιγραφή |
P-Channel 30V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C |
5.8A (Ta) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
