Αριθμός εξαρτήματος : | J111RL1G |
---|---|
Κατασκευαστής / Μάρκα : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Περιγραφή : | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 |
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 4827 pcs |
Φύλλα δεδομένων | J111RL1G.pdf |
Τάσης - αποκοπής (VGS εκτός) @ Id | 3V @ 1µA |
Τάσης - Ανάλυση (V (BR) GSS) | 35V |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-92-3 |
Σειρά | - |
Αντίσταση - RDS (on) | 30 Ohms |
Ισχύς - Max | 350mW |
Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -65°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Τύπος | N-Channel |
Λεπτομερής περιγραφή | JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3 |
Τρέχουσες - αποστράγγισης (IDSs) @ Vds (Vgs = 0) | 20mA @ 15V |
Αριθμός μέρους βάσης | J111 |