| Αριθμός εξαρτήματος : | MBR120200CT |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | GeneSiC Semiconductor |
| Περιγραφή : | DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 669 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | MBR120200CT.pdf |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 920mV @ 60A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | Twin Tower |
| Ταχύτητα | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά | - |
| Συσκευασία | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση | Twin Tower |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 4 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος | Schottky |
| Διαμόρφωση δίοδος | 1 Pair Common Cathode |
| Λεπτομερής περιγραφή | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 60A Chassis Mount Twin Tower |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 1mA @ 200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode) | 60A |
GeneSiC Semiconductor
