| Αριθμός εξαρτήματος : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | ON Semiconductor |
| Περιγραφή : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 1001518 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | MUN5113DW1T1G.pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 100mA |
| Τάσης - Ανάλυση | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 50V |
| Σειρά | - |
| Κατάσταση RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Αντίσταση - πομπός Βάσης (R2) (Ω) | 47k |
| Αντίσταση - Βάση (R1) (Ω) | - |
| Ισχύς - Max | 250mW |
| Πόλωση | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Άλλα ονόματα | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Θόρυβος Σχήμα (dB Τύπος @ στ) | 47k |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή | MUN5113DW1T1G |
| Συχνότητα - Μετάβαση | 80 @ 5mA, 10V |
| Διευρυμένη περιγραφή | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Περιγραφή | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
