Αριθμός εξαρτήματος : |
NSBA113EDXV6T1 |
Κατασκευαστής / Μάρκα : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Περιγραφή : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Κατάσταση RoHs : |
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο |
Διαθέσιμη ποσότητα |
4238 pcs |
Φύλλα δεδομένων |
NSBA113EDXV6T1.pdf |
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) |
50V |
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 5mA, 10mA |
transistor Τύπος |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή |
SOT-563 |
Σειρά |
- |
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) |
1 kOhms |
Αντίσταση - Βάση (R1) |
1 kOhms |
Ισχύς - Max |
500mW |
Συσκευασία |
Tape & Reel (TR) |
Συσκευασία / υπόθεση |
SOT-563, SOT-666 |
Αλλα ονόματα |
NSBA113EDXV6T1OS |
τοποθέτηση Τύπος |
Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) |
1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
Συχνότητα - Μετάβαση |
- |
Λεπτομερής περιγραφή |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
3 @ 5mA, 10V |
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) |
500nA |
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) |
100mA |
Αριθμός μέρους βάσης |
NSBA1* |