| Αριθμός εξαρτήματος : |
RN1909FE(TE85L,F) |
| Κατασκευαστής / Μάρκα : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| Περιγραφή : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Κατάσταση RoHs : |
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα |
390171 pcs |
| Φύλλα δεδομένων |
RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) |
50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| transistor Τύπος |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή |
ES6 |
| Σειρά |
- |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) |
22 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1) |
47 kOhms |
| Ισχύς - Max |
100mW |
| Συσκευασία |
Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση |
SOT-563, SOT-666 |
| Αλλα ονόματα |
RN1909FE(TE85LF)CT |
| τοποθέτηση Τύπος |
Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση |
250MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) |
100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
