| Αριθμός εξαρτήματος : | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Περιγραφή : | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 4349 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 1206-8 ChipFET™ |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Ισχύς - Max | 3.12W |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-SMD, Flat Lead |
| Αλλα ονόματα | SI5920DC-T1-GE3TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| FET Τύπος | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 8V |
| Λεπτομερής περιγραφή | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Αριθμός μέρους βάσης | SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
