Αριθμός εξαρτήματος : | SI7860ADP-T1-GE3 |
---|---|
Κατασκευαστής / Μάρκα : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | 5133 pcs |
Φύλλα δεδομένων | SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8 |
Σειρά | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.8W (Ta) |
Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |