| Αριθμός εξαρτήματος : | STB10N60M2 |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | STMicroelectronics |
| Περιγραφή : | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 30237 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | STB10N60M2.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D2PAK |
| Σειρά | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 85W (Tc) |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Αλλα ονόματα | 497-14528-2 STB10N60M2-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 42 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Αριθμός μέρους βάσης | STB10N60 |
STMicroelectronics
