| Αριθμός εξαρτήματος : | TSM950N10CW RPG |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Περιγραφή : | MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 185438 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | TSM950N10CW RPG.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-223 |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 9W (Tc) |
| Συσκευασία | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-261-4, TO-261AA |
| Αλλα ονόματα | TSM950N10CW RPGCT TSM950N10CW RPGCT-ND TSM950N10CWRPGCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 28 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 50V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 100V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
TSC (Taiwan Semiconductor)
