| Αριθμός εξαρτήματος : | UMB4NTN |
|---|---|
| Κατασκευαστής / Μάρκα : | LAPIS Semiconductor |
| Περιγραφή : | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
| Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 430053 pcs |
| Φύλλα δεδομένων | 1.UMB4NTN.pdf2.UMB4NTN.pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| transistor Τύπος | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | UMT6 |
| Σειρά | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | - |
| Αντίσταση - Βάση (R1) | 10 kOhms |
| Ισχύς - Max | 150mW |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Αλλα ονόματα | UMB4NTN-ND UMB4NTNTR |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση | 250MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | - |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης | MB4 |
